Samsung вводит высокий NA EUV, чтобы повысить конкурентоспособность на 2 -м рынке

Samsung Electronics, как сообщается, представила литографическое оборудование для полупроводникового литографии следующего поколения, литографию с высокой численной апертурой (NA) экстремальной ультрафиолетовой (EUV) (High NA EUV)-Exe: 5000-на его объекте Hwaseong в Южной Корее в начале марта.Высокий NA EUV имеет важное значение для производства ультра-свежих цепей ниже 2 нм, сигнализируя о усилиях Samsung по улучшению технологии процесса Sub-2NM.

В отчете подчеркивается, что это усовершенствованное оборудование поставляется с огромной ценностью 500 миллиардов Krw (приблизительно 2,501 млрд юаней) и предоставляется исключительно ASML, что делает его одним из самых востребованных инструментов в полупроводниковой промышленности.

С прошлого года Samsung оценивает применение высокого NA EUV в своем производственном процессе и, как сообщается, планирует использовать его для своих полупроводниковых узлов следующего поколения ниже 2 нм.

Высокий NA EUV считается критическим фактором для продвинутых литейных процессов Sub-2NM.Ведущие полупроводниковые компании по всему миру участвуют в гонках, чтобы принять эту передовую технологию.Intel уже подписала контракт на покупку шести из этих машин, причем первая была доставлена ​​в 2023 году. Между тем, TSMC недавно ввела оборудование в свою производственную линию, чтобы ускорить принятие своей технологии 2 -нм процесса.

По данным TrendForce, доля рынка литейных литей TSMC в 4 квартале 2023 года достигла 67,1%, что на 2,4 процентных пункта с 3 квартала 2023 года. Напротив, Samsung боролась на рынке, а ее доля упала на 1 процентную точку с 9,1% до 8,1% за тот же период.