Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Выйти
русский
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Главная > Новости > Intel: Intel 3 технология процесса «3NM» сейчас в объеме производства

Intel: Intel 3 технология процесса «3NM» сейчас в объеме производства

Intel объявила, что ее технология процесса Intel 3 (3NM) в настоящее время находится в объеме производства на двух заводах для изготовления пластин, также также предоставлена ​​дополнительная информация о новом производственном узле.Новый процесс обеспечивает более высокую производительность и большую плотность транзистора и поддерживает напряжение 1,2 В для приложений сверхвысокого уровня.Этот узел предназначен для собственных продуктов Intel, а также для клиентов литейного завода, с планами дальнейшего продвижения в ближайшие годы.

«Наша Intel 3 в настоящее время находится в объемном производстве в наших объектах в Орегоне и Ирландии, в том числе для недавно выпущенных процессоров Xeon 6« Fore Forest »и« Granite Rapids », - заявил Валид Хафес, вице -президент Intel Foundry Technology Development.

Intel последовательно позиционировала процесс производства Intel 3 для приложений центров обработки данных, которые требуют передовых производительности посредством улучшенных транзисторов (по сравнению с Intel 4), снижают транзистор посредством сопротивления в цепях доставки мощности и проектировали кооптимизацию.Производственный узел поддерживает <0.6V low voltage and >1,3 В Высокое напряжение для максимальной нагрузки.С точки зрения производительности, Intel обещает увеличить производительность на 18% на одном и том же уровне власти и плотности транзистора.

Для оптимальной комбинации производительности и плотности дизайнеры чипов должны использовать комбинацию 240-нм высокопроизводительных и 210 нм библиотек высокой плотности.Кроме того, клиенты Intel могут выбрать между тремя вариантами металлического стека: 14-слойной версией для снижения затрат, 18-слойной версии для наилучшего баланса между производительностью и стоимостью, а также 21-слойной версией для более высокой производительности.

В настоящее время Intel использует свою технологию процесса 3NM класса для производства процессоров центров обработки данных Xeon 6.В конце концов, Intel's Foundries будет использовать этот производственный узел для производства процессоров центра обработки данных для клиентов.

Помимо стандартного Intel 3, компания также будет предлагать Intel 3T, которая поддерживает через SILICON VIAS и может использоваться в качестве базового чипа.В будущем Intel планирует предоставить расширенную функциональность Intel 3-E для приложений для чипов и хранения, а также Intel 3-PT для повышения производительности в различных рабочих нагрузках, таких как искусственный интеллект (AI)/высокоэффективные вычисления (HPC)и общая производительность ПК.